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                激光加工能提升中紅外半導體芯光纖的性能

                來源:激ω 光制造網    關鍵詞:激光加工, 中紅外半導體芯光纖,    發布時間:2019-06-05

                設置字體:

                激光加隨後轟然破裂工光纖潛在的好處包括可以產生傳輸和檢ㄨ測光的中紅外光纖。


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                NTNU研究員Ursula Gibson


                在中紅外區域中傳輸的基於半導體的光纖可能有實現基於二氧化矽←玻璃的光纖所不能實現的功能的潛力,例如固有的光檢測和漠月光發射。光電探測可以通過III-V和IV半導體↓完成,而光發射可以隨後快速離去使用III-V半導體完→成。


                挪威科技大學的研究人員正在開發由III-V和IV半導體組成的光纖,並正在使用CO2激光加工♂改進其性能。這些器身上藍色光芒爆閃件將潛在的銻化鎵(GaSb,III-V半導體)發光體結合在紅外光傳輸矽(IV半導體)光纖中。


                為了制造光纖,研究人員將熔融芯GaSb / Si纖芯混合預制棒拉制成具有150μm纖芯的纖維,其中SI中嵌入了小快速無比晶體GaSb並與纖維軸對齊一旁。然後,他們用CO2激光加熱ㄨ光纖,以進一步隔離GaSb區域,使其周圍的矽憑你重新生長。激光束首先熔化GaSb,然後通過熱傳遞熔化矽的一部分,使GaSb斑點移動並重新成形。沿著激⊙光束的移動焦點形成富含GaSb的區域,允許在矽內產生長達1.4mm的GaSb晶體。


                研究陽正天突然瘋狂大笑了起來人員使用1064 nm的光線使GaSb晶體在1600 nm左右發光,表明晶體質量很高。


                “我們的結果首先是向光纖傳輸開放大部分電磁波譜的一不說我步,”研究員Ursula Gibson說。


                作者:John Wallace